á 2024/11/3 141

Ná góðum tökum á BFW10 30V N-rásinni JFET

Í heimi rafrænna íhluta stendur BFW10 N-rás JFET smári á sig sem fjölhæfur tæki til að magna og skipta um merki.Þessi smári er byggður á öflugri hálfleiðara tækni og býður upp á skilvirka stjórn á straumstreymi í gegnum hlið, uppsprettu og frárennslisstöðvar, sem gerir það tilvalið fyrir forrit þar sem nákvæmni og lítill hávaði er nauðsynlegur.Einstök hönnun þess, sem líkist „blöndunartæki“ fyrir rafeindaflæði, tryggir nákvæma meðhöndlun merkja, efla hljóðskýrleika, merkis mótun og tíðni sveiflur.Með forritum, allt frá hljóðmögnun til FM og sjónvarpsmóttakara, gerir aðlögunarhæfni BFW10 í ýmsum hringrásum það dýrmætt val fyrir þig að leita að áreiðanlegum afköstum í rafrænum kerfum.

Vörulisti

BFW10 N-rás JFET yfirlit

BFW10 er smíðaður úr hálfleiðara efni og er fjölhæfur N-rás JFET smári hannaður fyrir mögnun og skiptingu merkja og afls.Það tengist utanaðkomandi hringrásum með að minnsta kosti þremur skautum og stýrir straumstreymi með því að stilla spennu eða straumi á milli þeirra, sem magnar inntakið í meiri framleiðsla.Notkun N-rásar JFET ásanna við að stjórna straumstreymi með rafsviði.Hér gegnir hliðarstöðin stórt hlutverk, svipað og blöndunartæki sem stjórnar rafeindaflæði milli uppsprettu og holræsi, sem gerir kleift að magna merkismögnun smára.

Pinout

BFW10 hámarkseinkunn

Færibreytur	Tákn	Gildi	Eining
Frárennslisspenna	VDS	30	VDC
Frárennslisspenna	Vdg	30	VDC
Reverse Gate-uppspretta spennu	VGSR	-30	VDC
Framhlið núverandi	Igf	10	Madc

Tæknilegar upplýsingar

Tegund	Færibreytur
Yfirborðsfesting	Nei
Rekstrarhiti (hámark)	175 ° C.
Ná til samræmi kóða	ekki_ í samræmi
Pólun/rás gerð	N-rás
FET tækni	Mótum
Rafmagnsdreifing-Max (ABS)	0,25W
ROHS staða	Non-ROHS samhæft

Einkenni

Lögun	Forskrift
Tegund tilnefningar	BFW10
Tegund smára	JFET
Tegund stjórnunarrásar	N-rás
Hámarks afldreifing (PD)	0,3 W.
Hámarks frárennslisspenna (VDS)	30 V.
Hámarksspenna hliðaruppspretta (VG)	30 V.
Hámarks frárennslisstraumur (ID)	0,01 a
Hámarks mótunarhitastig (TJ)	150 ° C.
Hámarks frárennslisviðnám (RDS)	500 ohm
Pakki	Til 72

Forrit

BFW10 starfar sem mjög aðlögunarhæfur spennubreytandi viðnám.Það er notað í op-AMPS til að aðlaga ávinning og tíðnisvörun og tryggja viðeigandi framleiðsla.Í tónstýringum stillir það einmitt hljóðframleiðslu með því að breyta tíðni stigum, auka hljóðskýrleika og jafnvægi.Þegar BFW10 er fellt inn í rökstýringu er BFW10 lykillinn í því að stjórna merkisleiðum og spennustigum, sem hefur áhrif á ákvarðanatöku hringrásarinnar.

Innan FM og sjónvarpskerfa gegnir BFW10 virkan hlutverk í blöndunartæki.Það blandar merkjum yfir ýmsar tíðnir, auðveldar sléttan demodulation og eykur skýrleika merkja.Þessi hluti er þátttakandi í því að draga úr truflunum, tíð hindrun í vinnslu merkja.Þú getur oft reitt þig á nákvæmni þess til að varðveita skýra sendingu og sýna fram á víðtæka skilning á rafrænum samskiptum.

Hringrásarmynd

Jafngildi

• PTF10149

• RJK0234DNS

• SPP100N06S2-05

• SPB100N06S2-05

• SSM5N03fe

• STK0260D

• SWD5N65K

• VN10KLS

• BS170

• BFW11

• CS3N20ATH

• FHP3205

• FS10KM-12

• FS10KM-2

• FTP50N20R

• JCS12N65T

• JCS12N65CT

Notkun JFET smára

JFETS, eða „Junction Field-Ebefect Transistors,“ gegna stóru hlutverki í rafrásum, verðskuldað fyrir sérstaka eiginleika þeirra.Ólíkt MOSFETS, þá fella JFET ekki hliðaroxíð, sem leiðir til hærri hliðarstraums.Þessi aðgerð veitir nákvæman ávinning við ákveðnar aðstæður, sérstaklega þegar þörf er á lúmskum árangri.Hönnun JFETs er sniðin að verkefnum sem leggja áherslu á lítinn hávaða mögnun.Uppbygging þeirra, án hliðaroxíðsins, auðveldar sérstaka kosti og hækkar þau á svæðum sem þurfa rólega notkun.

Lítil hávaða mögnun

Í umhverfi þar sem næmi er miðstöð frammistöðu, skín JFET með því að draga úr 1/f hávaða, áskorun sem oft er til staðar á litlum tíðnum.Hæfni þeirra fyrir nákvæmni tæki og hliðstæða merkisvinnslu er vel viðurkennd.Þú getur oft valið JFETS fyrir framúrskarandi hávaðameðferð í hljóðbúnaði og nákvæmum mælitækjum.

Starfa sem stór viðnám

Starfandi í eyðingarstillingu þjóna JFET sem veruleg viðnám, hliðstætt MOSFET hliðstæða þeirra.Hlutverk þeirra í forritum eins og hliðstæðum rofa, sem krefjast stöðugrar mótstöðu, er viðurkennt.Þessi hæfileiki finnur hagnýta tjáningu í spennustýrðum mótspyrnum og eykur hönnun hjá dempara og blöndunartæki.

Mál

Framleiðandi

Texas Instruments, með höfuðstöðvar í Dallas, Texas, gegnir lykilhlutverki í hálfleiðara og samþættum hringrásariðnaði.Staðfast rætur í tækninýjungum og leiða stöðugt framfarir og umbreyta samskiptum okkar við rafeindatæki.Umfangsmikil alþjóðleg viðvera þeirra býður upp á fjölbreytt úrval af íhlutum sem finna gagnsemi í fjölmörgum forritum.

Athyglisvert tilboð frá Texas Instruments er BFW10 og sýnir hollustu þeirra við að skila gæðum og áreiðanleika.Fjölbreytt vörulína þeirra sýnir hæfileika til að takast á við flóknar kröfur í ýmsum geirum, svo sem neytendafrafni og bifreiðakerfi.Þessi vöruþróun undirstrikar ekki aðeins tækniþróun heldur einnig áþreifanlegan ávinning af aukinni afköstum og skilvirkni.